DSpace Repository

PEMBUATAN TRANSISTOR NMOS DENGAN GATE PALLADIUM

Show simple item record

dc.contributor.author Hestiningtyas, Asri
dc.contributor.author Soegandi, Totok M.S.
dc.date.accessioned 2024-10-03T07:21:38Z
dc.date.available 2024-10-03T07:21:38Z
dc.date.issued 1997-09
dc.identifier.uri http://repository.iti.ac.id/jspui/handle/123456789/2443
dc.description Dosen pembimbing : Totok M.S. Soegandi en_US
dc.description.abstract Telah diketahui bahwa sejumlah logam, misalnya Palladium menyerap dan Telash dikethui bahwa sejumlah logam, misalnya Palladium menycrap dan mengeluarkan Hidrogen. Serapan atom tersebut mengubah fungsi kerja ( work mengeluarkan Hidrogen Serapan atom tersebut mengubah fungsi kerja ( work function ) dari permukaan logam. Dengan menggunakan lapisan tipis Palladium ( Pd ) function ) dari perukaan logam Dengan menggunakan lapisan tipis Palladium(Pd) sebagai metal gate dari MOS ( Metal Oxide Semiconductor ) Transistor sebagai metal gate dari MOS ( Metal Oxide Semiconductor ) Transistor dikembangkanlah suatu komponen baru yang sensitif terhadap Hidrogen. Divais ini dikembangknlah suatu komponen bar yang sensitif terhadap Hidrogen. Divis ini mengambil keuntungan dari fakta, bahwa hidrogen sangat mudah terurai dan berdifusi mengambil keuntungan danri fakta, bahwa hidrogen sangat mudah terurai dan berdifusi dengan cepat dalam Palladium. Hidro dengan cepat dalam Palladium. Hidrogen tersebut diserap oleh permukaan oksida gate terseb�rap oleh permukaan oksida gate dan mengubah fungsi kerja log dan mengubah fungsi kerja logam, sehingga tegangan ambang ( threshold voltage ) , sehingga tegangan a �ga dari transistor MOS akan mengalami perubahan. Perubahan tegangan ambang yang dari transistor MOS terjadi berbandinglurus den@an,byyz.fya ii@o@et terjadi berbanding lurus dengan banyaknya hidrogen yang diserap oleh logam palladium. palladium Dalam tgas akhir ini telah dilakukan pembuatan divais Transistor NMOS dengan gate Palladium. Pembuatan divais dilakukan dengan teknologi pemrosesan NMOS pada wafer silikon tipe p <11 . NMOS pada wafer silikon tipe p <IHD> Aplikasi dari transistor MOS dengan gate Palladium ini adalah sebagai elemen Aplikasi dari transistor MOS dengar gate Palladium ini adalah sebagai elemen dari sensor yang berfungsi untuk mendeteksi Hidrogen atau senyawanya di udara sampai dalam orde 10 ppm. Respon dari divais ini bekerja dengan baik pada suhu dari sensor yang berfungsi untuk mendeteksi Hidrogen atau senyawanya di udara sampai dalam orde IO ppm. Respon dari divais ini bekerja dengan baik pada suhu \ 150C. en_US
dc.language.iso other en_US
dc.publisher Institut Teknologi Indonesia en_US
dc.title PEMBUATAN TRANSISTOR NMOS DENGAN GATE PALLADIUM en_US
dc.type Thesis en_US
dc.identifier.nim NIM011900054
dc.identifier.kodeprodi KODEPRODI20201#Teknik Elektro


Files in this item

This item appears in the following Collection(s)

Show simple item record

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account