Please use this identifier to cite or link to this item: http://repository.iti.ac.id/jspui/handle/123456789/2443
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorHestiningtyas, Asri-
dc.contributor.authorSoegandi, Totok M.S.-
dc.date.accessioned2024-10-03T07:21:38Z-
dc.date.available2024-10-03T07:21:38Z-
dc.date.issued1997-09-
dc.identifier.urihttp://repository.iti.ac.id/jspui/handle/123456789/2443-
dc.descriptionDosen pembimbing : Totok M.S. Soegandien_US
dc.description.abstractTelah diketahui bahwa sejumlah logam, misalnya Palladium menyerap dan Telash dikethui bahwa sejumlah logam, misalnya Palladium menycrap dan mengeluarkan Hidrogen. Serapan atom tersebut mengubah fungsi kerja ( work mengeluarkan Hidrogen Serapan atom tersebut mengubah fungsi kerja ( work function ) dari permukaan logam. Dengan menggunakan lapisan tipis Palladium ( Pd ) function ) dari perukaan logam Dengan menggunakan lapisan tipis Palladium(Pd) sebagai metal gate dari MOS ( Metal Oxide Semiconductor ) Transistor sebagai metal gate dari MOS ( Metal Oxide Semiconductor ) Transistor dikembangkanlah suatu komponen baru yang sensitif terhadap Hidrogen. Divais ini dikembangknlah suatu komponen bar yang sensitif terhadap Hidrogen. Divis ini mengambil keuntungan dari fakta, bahwa hidrogen sangat mudah terurai dan berdifusi mengambil keuntungan danri fakta, bahwa hidrogen sangat mudah terurai dan berdifusi dengan cepat dalam Palladium. Hidro dengan cepat dalam Palladium. Hidrogen tersebut diserap oleh permukaan oksida gate terseb�rap oleh permukaan oksida gate dan mengubah fungsi kerja log dan mengubah fungsi kerja logam, sehingga tegangan ambang ( threshold voltage ) , sehingga tegangan a �ga dari transistor MOS akan mengalami perubahan. Perubahan tegangan ambang yang dari transistor MOS terjadi berbandinglurus den@an,byyz.fya ii@o@et terjadi berbanding lurus dengan banyaknya hidrogen yang diserap oleh logam palladium. palladium Dalam tgas akhir ini telah dilakukan pembuatan divais Transistor NMOS dengan gate Palladium. Pembuatan divais dilakukan dengan teknologi pemrosesan NMOS pada wafer silikon tipe p <11 . NMOS pada wafer silikon tipe p <IHD> Aplikasi dari transistor MOS dengan gate Palladium ini adalah sebagai elemen Aplikasi dari transistor MOS dengar gate Palladium ini adalah sebagai elemen dari sensor yang berfungsi untuk mendeteksi Hidrogen atau senyawanya di udara sampai dalam orde 10 ppm. Respon dari divais ini bekerja dengan baik pada suhu dari sensor yang berfungsi untuk mendeteksi Hidrogen atau senyawanya di udara sampai dalam orde IO ppm. Respon dari divais ini bekerja dengan baik pada suhu \ 150C.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherInstitut Teknologi Indonesiaen_US
dc.titlePEMBUATAN TRANSISTOR NMOS DENGAN GATE PALLADIUMen_US
dc.typeThesisen_US
dc.identifier.nimNIM011900054-
dc.identifier.kodeprodiKODEPRODI20201#Teknik Elektro-
Appears in Collections:[TA] Teknik Elektro

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
EL 1997 40.pdf
  Restricted Access
FULL TEXT35.76 MBAdobe PDFView/Open Request a copy


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.